Tranzystor bez półprzewodników

24 czerwca 2013, 11:37

Od kilku dziesięcioleci wykorzystujemy półprzewodniki do budowy podzespołów elektronicznych. Poszczególne elementy układów stają się coraz mniejsze i mniejsze. Jednak proces miniaturyzacji nie będzie trwał wiecznie. Yoke Khin Yap, fizyk z Michigan Technological University, mówi, że w ciągu 10-20 lat dojdziemy do fizycznych granic miniaturyzacji półprzewodników



Prawo Moore'a wrogiem konkurentów Intela?

14 maja 2013, 12:30

Linley Gwennap, analityk z Linley Group, przygotował raport, w którym stwierdza, że samo prawo Moore'a spowoduje, że większość konkurentów Intela przestanie się liczyć na rynku najnowocześniejszych układów scalonych. Związane z prawem Moore'a wciąż rosnące koszty wytwarzania coraz mniejszych tranzystorów spowodują, że na dotrzymanie kroku Intelowi stać będzie tylko największych


Wiedzą, jak zbadać molibdenit

22 kwietnia 2013, 16:41

Disiarczek molibdenu (MoS2), występujący często w postaci molibdenitu to, jak niejednokrotnie informowaliśmy, niezwykle obiecujący materiał. Ma wiele właściwościo podobnych do grafenu, a że, w przeciwieństwie do niego, posiada przerwę energetyczną, może być bez większych przeszkód używany w elektronice.


Grafenowo-molibdenitowy układ pamięci

20 marca 2013, 17:19

Szwajcarzy z École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) połączyli dwa rewolucyjne materiały - grafen i molibdenit - w prototypowy układ pamięci flash. Uczeni z EPFL już przed dwoma laty zwrócili uwagę na niezwykle interesujące właściwości molibdenitu, a kilka miesięcy później zaprezentowali pierwszy układ scalony wykonany z tego materiału.


Chiny gonią Zachód

27 grudnia 2012, 08:27

Instytut Mikroelektroniki Chińskiej Akademii Nauk poinformował o stworzeniu rodzimego 22-nanometrowego tranzystora MOSFET z metalową bramką i materiałami o wysokiej stałej dielektrycznej. Chińczycy zapewniają, że urządzenie charakteryzuje się światowej klasy wydajnością.


Krzem ma poważną konkurencję

10 grudnia 2012, 19:46

Inżynierowie z MIT-u wyprodukowali najmniejszy tranzystor uzyskany z arsenku galu. Tym samym dowiedli, że materiał ten może w niedalekiej przyszłości zastąpić krzem w roli głównego półprzewodnika uzywanego w elektronice


Wnętrze nanorurki

IBM ogłasza nanorurkowy przełom

29 października 2012, 09:30

Badacze z IBM-a poinformowali na łamach Nature o dokonaniu przełomu, który zbliża nas do pojawienia się na rynku układów scalonych wykorzystujących węglowe nanorurki (CNT). Inżynierowie z laboratorium w Nowym Jorku opracowali technologię umieszczania dużej liczby tranzystorów CNT na pojedynczym układzie scalonym


10 nanometrów w zanurzeniu

13 września 2012, 09:44

Intel poinformował, że jest w stanie wykorzystać litografię zanurzeniową do produkcji układów scalonych w 10-nanometrowym procesie technologicznym. Wykorzystujące go układy zadebiutują nie wcześniej niż w 2015 roku.


Silicen - krzem w jednej warstwie

2 maja 2012, 12:10

W Physical Review Letters ukazał się artykuł, z którego dowiadujemy się o opracowaniu kolejnego materiału konkurencyjnego dla grafenu. Tym razem mowa jest o dwuwymiarowej warstwie atomów krzemu.


Wkrótce zadebiutuje Xeon z tranzystorami 3D

12 kwietnia 2012, 15:18

Jeszcze w bieżącym kwartale na rynek trafi pierwszy serwerowy procesor Intela z tranzystorami 3D (tranzystor trójbramkowy). Nowy Xeon będzie korzystał z architektury Ivy Bridge, a jego pierwsze wersje będą przeznaczone na rynek mikroserwerów.


Zostań Patronem

Od 2006 roku popularyzujemy naukę. Chcemy się rozwijać i dostarczać naszym Czytelnikom jeszcze więcej atrakcyjnych treści wysokiej jakości. Dlatego postanowiliśmy poprosić o wsparcie. Zostań naszym Patronem i pomóż nam rozwijać KopalnięWiedzy.

Patronite

Patroni KopalniWiedzy